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Croissance de domaines et solitons dissipatifs topologiques dans un laser à semiconducteur

Stephane Barland

Mercredi 5 mars 2014

à 11h en salle C. Brot

Des structures spatiales localisées en optique ont été observées tant le long de la direction de propagation du champ electrique que dans la direction transverse. Independamment de la direction de localisation, les structures localisées observées jusqu’à présent sont de deux types : soit elles sont accrochées en phase à un forçage externe, soit elles se forment dans un système avec symétrie de phase et dans ce cas leur phase est un mode neutre. A chacun de ces cas correspond un paradigme théorique relativement bien établi. Nous montrerons lors de cette contribution la formation de structures localisées qui n’appartiennent ni à l’une ni à l’autre de ces catégories. Nous analysons la coexistence de domaines spatiaux dans un laser à semiconducteur en anneau forcé par un champ cohérent et montrons que la contraction d’un domaine peut être bloquée par la charge topologique qu’il contient. Dans ce cas, le système converge naturellement vers la formation d’un soliton topologique dissipatif.