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Accueil du site > Séminaires > Archives > Année 2013 > Arnaud Garnache

Laser à semiconducteur de puissance de haute cohérence pour applications photoniques : monofréquence, continuum, état transverse non gaussien

Arnaud Garnache

à 11h en salle C. Brot

Nous présenterons la conception et les propriétés physiques obtenues avec une géométrie compacte de laser à semiconducteur à émission verticale à cavité externe : fonctionnement à forte puissance >1W à 300K à haut rendement, un faisceau fondamental TEM00 ou Laguerre-Gauss d’ordre élevé à la limite de diffraction de faible divergence, un spectre monofréquence ou continuum sans mode, un faible niveau de bruit de fréquence et d’intensité, une dynamique régulière, une accordabilité continue large bande. Les composants présentés ici opèrent à une longueur d’onde autour de 0.8-1µm (technologie GaAs), et de 2-2.7 µm (technologie GaSb). Les applications photoniques seront discutées.

Mots-clés

MOSAIQ